SFT1342-TL-W

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

96 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4 V

Qg - Carga de puerta:

26 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

15 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

7 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

6.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

11 S

Otoño:

75 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

700

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

135 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

SFT1342-T, SFT1342, SFT134, SFT13, SFT1, SFT