IXFA12N50P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

500 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

29 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16 mm

Longitud:

10.66 mm

Serie:

IXFA12N50P

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Polar Power MOSFET HiPerFET

Ancho:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

7.5 S

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXFA12N5, IXFA12, IXFA1, IXFA, IXF