2N5060RLRAG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

SCR

RoHS:

Y

Serie:

2N506X

Corriente de ruptura IBO Max:

10 A

Voltaje nominal repetitivo en estado desactivado VDRM:

30 V

Corriente de fuga fuera de estado @ VDRM IDRM:

10 uA

Vf - Voltaje directo:

1.7 V

Voltaje inverso pico máximo de la puerta:

5 V

Voltaje de activación de puerta - Vgt:

800 mV

Corriente de activación de puerta - Igt:

0.2 mA

Manteniendo la corriente Ih Max:

5 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 110 C

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3 (TO-226)

Embalaje:

Carrete

Valoración actual:

510 mA

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Escribe:

SCR

Ancho:

4.19 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente en estado no repetitiva:

10 A

Tipo de producto:

SCR

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Tiristores

Tags

2N5060RLR, 2N5060R, 2N5060, 2N506, 2N50, 2N5