DMP1200UFR4-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X2-DFN1010-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

70 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

5.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.26 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMP12

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

40 mS

Otoño:

166 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

62 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

332 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Tags

DMP1, DMP