NDD03N80ZT4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.7 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

17 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

96 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2.1 S

Otoño:

9 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NDD03N8, NDD03, NDD0, NDD