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TGF2060

TGF2060
Mfr. #:
TGF2060
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2060 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2060 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
pHEMT
Tecnología:
GaAs
Ganar:
12 dB
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
8 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
- 3 V
Id - Corriente de drenaje continua:
194 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
2.1 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Embalaje:
Paquete de gel
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
20 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 65 C to + 150 C
Producto:
RF JFET
Serie:
TGF
Escribe:
GaAs pHEMT
Marca:
Qorvo
Transconductancia directa - Mín .:
232 mS
NF - Figura de ruido:
1.4 dB
P1dB - Punto de compresión:
28 dBm
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
100
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1098619
Tags
TGF20, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
Transistor, DC- 20 GHz, 28 dBm, 12 dB, 1.4 dB NF, 8V, DIE
Triquint GaAs pHEMt Low Noise Amplifiers
TriQuint offers a wide variety of discrete transistor components using TriQuint's state-of-the-art ultra-low-noise 0.13µm pHEMT and 0.25µm E-pHEMT processes. These discrete devices allow customers full control when designing the circuits of low noise amplifiers (LNAs). The various discrete FETs offer NFmin as low as 0.15 dB and are usable up to 22 GHz. Matched pair transistors are also available and are ideal for balanced LNA designs.Learn More
TGF2040/60 Discrete GaAs pHEMTs
Qorvo TGF2040 400µm Discrete GaAs pHEMT and TGF2060 600µm Discrete GaAs pHEMT operate from DC to 20GHz and are designed to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. TGF2040 pHEMT typically provides 26dBm of output power at P1dB with gain of 13dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression while TGF2060 typically provides 28dBm of output power at P1dB with gain of 12dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression. Qorvo TGF2040 and TGF2060 pHEMTs are appropriate for high efficiency applications. Theses transistors feature a protective overcoat layer with silicon nitride that provides a level of environmental robustness and scratch protection.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGF2060
DISTI # 772-TGF2060		QorvoRF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
RoHS: Compliant		100
  • 100:$7.3300
  • 300:$6.8500
  • 500:$6.4000
  • 1000:$5.9800
Imagen Parte # Descripción
LT1964IS5-5#TRMPBF

Mfr.#: LT1964IS5-5#TRMPBF

OMO.#: OMO-LT1964IS5-5-TRMPBF

 LDO Voltage Regulators 200mA Low Noise Negative LDO
Disponibilidad
Valores:
100
En orden:
2083
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TGF2060 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
100
7,33 US$
733,00 US$
300
6,85 US$
2 055,00 US$
500
6,40 US$
3 200,00 US$
1000
5,98 US$
5 980,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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