NSV1C301ET4G-VF01

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

140 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.115 V

Corriente máxima del colector de CC:

6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

120 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

360

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

3 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

33 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.012381 oz

Tags

NSV1C3, NSV1C, NSV1, NSV