PTFA192001F V4 R250

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

900 mA

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms

Ganar:

17 dB

Potencia de salida:

100 W

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-37248-2

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Altura:

4.11 mm

Longitud:

22.35 mm

Frecuencia de operación:

1.93 GHz to 1.99 GHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

13.72 mm

Marca:

Infineon Technologies

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

417 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Parte # Alias:

FA192001FV4R25XT SP000393369

Tags

PTFA1920, PTFA192, PTFA19, PTFA1, PTFA, PTF