NTD3055L170-001

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

28.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

7.3 S

Otoño:

38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

69 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.7 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NTD3055L17, NTD3055L1, NTD3055L, NTD305, NTD30, NTD3, NTD