PN3565 TIN/LEAD

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

25 V

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.35 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

240 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

PN35

Ganancia de corriente CC hFE Max:

600 at 1 mA, 10 V

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

50 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

150 at 1 mA, 10 V

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

PN3565, PN356, PN35, PN3