DMG8601UFG-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

U-DFN3030-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

8.8 nC, 8.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

920 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMG8601

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

234 ns, 234 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

78 ns, 78 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

562 ns, 562 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

53 ns, 53 ns

Unidad de peso:

0.000423 oz

Tags

DMG8, DMG