NDUL09N150CG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3PF-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.5 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

114 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

78 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

5.2 S

Otoño:

111 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

75 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

500 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

33 ns

Unidad de peso:

0.245577 oz

Tags

NDUL, NDU