HCT7000MTX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

TT Electronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

40 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

A granel

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Optek / TT Electronics

Transconductancia directa - Mín .:

0.1 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

MOSFET

Tags

HCT7000, HCT700, HCT70, HCT7, HCT