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IRG8P08N120KD-EPBF

IRG8P08N120KD-EPBF
Mfr. #:
IRG8P08N120KD-EPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IRG8P08N120KD-EPBF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Infineon Technologies
categoria de producto
IGBTs - Single
Serie
-
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.229281 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-247-3
Tipo de entrada
Estándar
Tipo de montaje
A través del orificio
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-247AD
Configuración
Único
Potencia máxima
89W
Tiempo de recuperación inverso trr
50ns
Colector-corriente-Ic-Max
15A
Voltaje-Colector-Emisor-Ruptura-Máx.
1200V
Tipo IGBT
-
Colector de corriente pulsado Icm
15A
Vce-en-Max-Vge-Ic
2V @ 15V, 5A
Energía de conmutación
300μJ (on), 300μJ (off)
Gate-Charge
45nC
Td-encendido-apagado-25 ° C
20ns/160ns
Condición de prueba
600V, 5A, 47 Ohm, 15V
Disipación de potencia Pd
89 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Colector-Emisor-Voltaje-VCEO-Max
1200 V
Colector-Emisor-Saturación-Voltaje
1.7 V
Corriente-de-colector-continuo-a-25-C
15 A
Puerta-Emisor-Fuga-Corriente
100 nA
Voltaje máximo del emisor de puerta
30 V
Colector-continuo-Corriente-Ic-Max
8 A
Tags
IRG8P, IRG8, IRG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 15A 89000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
***i-Key
IGBT 1200V 8A TO-247AD
***ark
TUBE / G8, 1200V, 8A, COPAK-247AD
***et
G8, 1200V, 8A, COPAK-247AD
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IRG8P08N120KD-EPBF
DISTI # V99:2348_13892872		Infineon Technologies AGIGBT DISCRETES125
  • 100:$3.1730
  • 25:$3.3440
  • 10:$3.6290
  • 1:$4.0300
IRG8P08N120KD-EPBF
DISTI # IRG8P08N120KD-EPBF-ND		Infineon Technologies AGIGBT 1200V 15A 89W TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 125
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IRG8P08N120KD-EPBF
    DISTI # 26198451    		Infineon Technologies AGIGBT DISCRETES125
    • 100:$3.1730
    • 25:$3.3440
    • 10:$3.6290
    • 3:$4.0300
    IRG8P08N120KD-EPBF
    DISTI # 942-IRG8P08N120KDEPB    		Infineon Technologies AGIGBT Transistors 1200V IGBT GEN8
    RoHS: Compliant    		90
    • 1:$4.6700
    • 10:$3.9700
    • 25:$3.9000
    • 100:$3.4400
    • 250:$3.2600
    • 500:$2.9100
    • 1000:$2.4600
    • 2500:$2.2700
    IRG8P08N120KD-EPBF
    DISTI # C1S322000577130    		Infineon Technologies AGIGBT Chip125
    • 100:$3.2620
    • 25:$3.4470
    • 10:$3.8040
    • 1:$4.2250
    Imagen Parte # Descripción
    IRG8P08N120KD-EPBF

    Mfr.#: IRG8P08N120KD-EPBF

    OMO.#: OMO-IRG8P08N120KD-EPBF

    		 IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8
    IRG8P08N120KDPBF

    Mfr.#: IRG8P08N120KDPBF

    OMO.#: OMO-IRG8P08N120KDPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8
    IRG8P08N120KD-EPBF

    Mfr.#: IRG8P08N120KD-EPBF

    OMO.#: OMO-IRG8P08N120KD-EPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    5000
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de IRG8P08N120KD-EPBF es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    3,40 US$
    3,40 US$
    10
    3,23 US$
    32,35 US$
    100
    3,06 US$
    306,45 US$
    500
    2,89 US$
    1 447,15 US$
    1000
    2,72 US$
    2 724,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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