IXTQ60N20L2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3P-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

45 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

540 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

IXTQ60N20

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Unidad de peso:

0.194007 oz

Tags

IXTQ60, IXTQ6, IXTQ, IXT