VMMK-1218-TR1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Broadcom Limited

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

EpHEMT

Tecnología:

GaAs

Ganar:

9 dB

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 5 V to 1 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

10 GHz

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs EpHEMT

Marca:

Broadcom / Avago

Transconductancia directa - Mín .:

200 mS

NF - Figura de ruido:

0.81 dB

P1dB - Punto de compresión:

12 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

Transistores

Tags

VMMK-121, VMMK-1, VMMK, VMM