FQU2N60CTU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.7 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.3 mm

Longitud:

6.8 mm

Serie:

FQU2N60C

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

5 S

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5040

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.012102 oz

Tags

FQU2N60C, FQU2N60, FQU2N6, FQU2N, FQU2, FQU