NTMFS4C59NT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-FL-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

52 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

22.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

25.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTMFS4C59N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

50 S

Kit de desarrollo:

-

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

32 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Tags

NTMFS4C5, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM