MCH6341-TL-W

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

45 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

MCH6341-TL-W

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2.8 S

Otoño:

35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

MCH6341, MCH634, MCH63, MCH6, MCH