IRF4905STRRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

74 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

180 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

19 S

Otoño:

64 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

99 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

51 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Parte # Alias:

SP001576684

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IRF4905ST, IRF4905S, IRF490, IRF49, IRF4, IRF