PTFB192503FL-V2-R0

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms

Ganar:

19 dB

Potencia de salida:

240 W

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 225 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-34288-4/2

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

1930 MHz to 1990 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Número de canales:

1 Channel

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Tags

PTFB192503F, PTFB19250, PTFB192, PTFB19, PTFB1, PTFB, PTF