IFN5565

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

InterFET

Categoria de producto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-71-6

Polaridad del transistor:

Canal N

Configuración:

Doble

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 40 V

Corriente de drenaje-fuente a Vgs = 0:

30 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 Ohms

Pd - Disipación de energía:

650 mW

Embalaje:

A granel

Escribe:

JFET

Marca:

InterFET

Transconductancia directa - Mín .:

6 mS

Voltaje de corte de puerta-fuente:

- 3 V

Cantidad de paquete de fábrica:

1

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IFN556, IFN55, IFN5, IFN