NESG270034-T1-AZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

CEL

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

E

Tipo de transistor:

Bipolar

Tecnología:

SiGe

Polaridad del transistor:

NPN

Emisor- Voltaje base VEBO:

2.8 V

Corriente continua del colector:

0.75 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Paquete / Caja:

Power Mini-Mold

Embalaje:

Carrete

Colector- Voltaje base VCBO:

25 V

Ganancia de corriente CC hFE Max:

80 at 100 mA at 3 V

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Frecuencia de operación:

900 MHz

Escribe:

Germanio de silicio RF

Ancho:

2.5 mm

Marca:

CEL

Pd - Disipación de energía:

1900 mW

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Tags

NESG270034-T1-A, NESG270034-T, NESG27, NESG2, NESG, NES