FDMA410NZT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UMLP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.55 mm

Longitud:

2.05 mm

Serie:

FDMA410NZT

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.05 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

36 S

Otoño:

3.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.5 ns

Unidad de peso:

0.001411 oz

Tags

FDMA41, FDMA4, FDMA, FDM