GA05JT01-46

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor GeneSiC

Categoria de producto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-46-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Configuración:

Único

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

30 V

Corriente de drenaje-fuente a Vgs = 0:

5.8 A

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

620 mOhms

Pd - Disipación de energía:

20 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 225 C

Embalaje:

A granel

Escribe:

JFET

Marca:

Semiconductor GeneSiC

Voltaje de corte de puerta-fuente:

3.45 V

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

25 V

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Tags

GA05J, GA05, GA0