IRF7524D1PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Micro-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

270 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

5.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

1.11 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

1.3 S

Otoño:

43 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

80

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.1 ns

Tags

IRF7524, IRF752, IRF75, IRF7, IRF