QSZ3TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

12 V

Colector- Voltaje base VCBO:

15 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

280 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

270 at 500 mA, 2 V

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

270 at 500 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

1250 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

QSZ3

Tags

QSZ3, QSZ