STY34NB50

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

Max247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

34 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

130 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

450 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.3 mm

Longitud:

15.9 mm

Serie:

STY34NB50

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

5.3 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

27 S

Otoño:

53 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

32 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo típico de retardo de encendido:

46 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

STY34NB, STY34, STY3, STY