2SC5876U3HZGT106Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

150 mV

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

390

Embalaje:

Carrete

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

500 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SC5876U, 2SC587, 2SC58, 2SC5, 2SC