TPCF8104(TE85L,F,M

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VS8-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

28 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

TPCF8104

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tags

TPCF8104(TE, TPCF8104(T, TPCF8104, TPCF81, TPCF8, TPCF, TPC