STU9HN65M2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

820 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

11.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

MDmesh

Altura:

2.4 mm

Longitud:

16.1 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STU9HN65M2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MDmesh M2

Ancho:

6.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

14.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

Unidad de peso:

0.050717 oz

Tags

STU9, STU