BSH105,215

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.05 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

200 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

3.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

417 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel MOS Transistor

Ancho:

1.4 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

Parte # Alias:

BSH105 T/R

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

BSH105,2, BSH105, BSH10, BSH1, BSH