IXTA08N120P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

800 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

14 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

50 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Polar

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.83 mm

Longitud:

9.65 mm

Serie:

IXTA08N120

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia polar

Ancho:

10.41 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

0.38 S

Otoño:

24 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTA08N12, IXTA08N1, IXTA08, IXTA0, IXTA, IXT