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SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3
Mfr. #:
SIR168DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIR168DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
Chips de IC
Serie
SIRxxxDP
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIR168DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
34.7 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
40 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
4.4 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SIR16, SIR1, SIR
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 25.1A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
***
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:40A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0044ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIR168DP-T1-GE3
DISTI # SIR168DP-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.4389
SIR168DP-T1-GE3
DISTI # 781-SIR168DP-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
    SIR168DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10VAmericas -
      Imagen Parte # Descripción
      SIR168DP-T1-GE3

      Mfr.#: SIR168DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIR168DP-T1-GE3-VISHAY

      		 IGBT Transistors MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
      SIR168DP

      Mfr.#: SIR168DP

      OMO.#: OMO-SIR168DP-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SIR168DP-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,55 US$
      0,55 US$
      10
      0,52 US$
      5,20 US$
      100
      0,49 US$
      49,26 US$
      500
      0,47 US$
      232,60 US$
      1000
      0,44 US$
      437,90 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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