TK4A60DA(STA4,Q,M)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.7 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

35 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

15 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

TK4A60DA

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

0.6 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

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