IRFM120ATF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

200 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.4 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.8 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

IRFM120A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

5.7 S

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

36 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

IRFM120ATF_NL

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

IRFM120AT, IRFM120A, IRFM12, IRFM1, IRFM, IRF