MRFE6S8046GNR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

E

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

66 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-270-4

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Single Dual Drain Dual Gate

Altura:

2.64 mm

Longitud:

17.58 mm

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

9.07 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Unidad de peso:

0.057666 oz

Tags

MRFE6S, MRFE6, MRFE, MRF