DMC3016LSD-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.2 A, 6.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

15 mOhms, 30 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

11.3 nC, 10.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMC3016

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

5.6 ns, 40.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16.5 ns, 17.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26.1 ns, 60.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.8 ns, 9.7 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

DMC3016LS, DMC3016, DMC301, DMC30, DMC3, DMC