IPT007N06N

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-HSOF-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

750 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

216 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

375 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.4 mm

Longitud:

10.58 mm

Serie:

OptiMOS 5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

10.1 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

160 S

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

76 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

38 ns

Parte # Alias:

IPT007N06NATMA1 SP001100158

Tags

IPT007, IPT00, IPT0, IPT