HN1C01FE-Y,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

100 mV

Corriente máxima del colector de CC:

150 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

80 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

HN1C01

Ganancia de corriente CC hFE Max:

400

Embalaje:

Carrete

Marca:

Toshiba

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

100 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

HN1C01FE-Y, HN1C01FE, HN1C01, HN1C0, HN1C, HN1