CSD16410Q5A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSONP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

3.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

CSD16410Q5A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.9 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

38 S

Otoño:

3.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.2 ns

Unidad de peso:

0.003527 oz

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