2SD1857ATV2Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

160 V

Colector- Voltaje base VCBO:

160 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

80 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

270

Altura:

4.4 mm

Longitud:

6.8 mm

Embalaje:

Ammo Pack

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

1.5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

82

Pd - Disipación de energía:

1 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

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