NTP52N10G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

214 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.28 mm

Longitud:

10.28 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.82 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

31 S

Otoño:

100 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

95 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

74 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

NTP52N1, NTP52, NTP5, NTP