BSC118N10NS G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.8 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

114 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

21 ns

Parte # Alias:

BSC118N10NSGATMA1 BSC118N1NSGXT SP000379599

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BSC118N10NSG, BSC118, BSC11, BSC1, BSC