SH8J31GZETB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms, 50 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

40 nC, 40 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

6.5 S, 6.5 S

Otoño:

40 ns, 40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns, 18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

100 ns, 100 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns, 17 ns

Parte # Alias:

SH8J31

Tags

SH8J, SH8