FMM110-015X2F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

ISOPLUS-i4-PAK-5

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

53 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

150 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

180 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

TrenchT2

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.34 mm

Longitud:

20.29 mm

Serie:

FMM110-015X2F

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

Ancho:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

75 S

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

33 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

FMM11, FMM1, FMM