BSZ086P03NS3EGATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

57.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

BSZ086P03

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

30 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

46 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Parte # Alias:

BSZ086P03NS3E BSZ86P3NS3EGXT G SP000473016

Tags

BSZ086P03NS3E, BSZ086P03NS, BSZ086, BSZ08, BSZ0, BSZ