FQE10N20CTU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-126-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

360 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

12.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

11 mm

Longitud:

8 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

4.5 S

Otoño:

72 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

92 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

60

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

FQE10N20CTU_NL

Unidad de peso:

0.014110 oz

Tags

FQE