NTJS4151PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-88-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

205 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1.8 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

NTJS4151P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

12 S

Otoño:

4.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

2.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

0.85 ns

Unidad de peso:

0.000219 oz

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NTJS4151PT1G, NTJS4151PT, NTJS415, NTJS41, NTJS4, NTJS, NTJ