CLF1G0060S-10U

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN Si

Ganar:

14.5 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

3 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.7 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT1227B

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Altura:

3.48 mm

Longitud:

5.18 mm

Frecuencia de operación:

3.5 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 65 C to + 150 C

Ancho:

4.19 mm

Marca:

Semiconductores NXP

Transconductancia directa - Mín .:

380 mS

Número de canales:

1 Channel

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 2 V

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